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发信人: sinzaghi (让这口烟跳升，我身躯下沉。), 信区: ZJU
标 题: 浙江大学硅材料国家重点实验室
发信站: 水木社区 (Sat Aug 13 15:07:27 2005), 站内
浙江大学硅材料国家重点实验室
ZHEJIANG UNIVERSITY
STATE KEY LAB OF SILICON MATERIALS
硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)于 1985年由国家
计委批准投资建设，1987年通过国家验收，1988年对外开放。目前硅材料国家重
点实验室已成为国家在硅材料及半导体材料的科学研究创新及高级人才培养的主
要基地之一，是对外学术交流的重要窗口。
以本室为核心的浙江大学材料物理与化学学科是全国重点学科，早在86年建立国
内第一个半导体材料工学博士点。
本实验室从50年代初就开始半导体材料研究，至今已取得了一系列重要成果
。在硅单晶生长技术，探测器级高纯硅单晶，硅单晶中碳、氧的控制，以及硅单
晶的电学测量等方面取得过重大成果，获得国家发明二等奖 l项，三等奖2项，省
部级科技进步奖十余项。我们在国际上首创了减压氮保护硅单晶技术，该发明在
转化为生产力后，己取得显著经济效益，获浙江省重大科技进步贡献奖。目前硅
单晶销往美、德等国。现本室在大直径硅单晶生长、硅的缺陷工程以及微氮硅单
晶的杂质缺陷的基础研究方面，于国际学术刊物和会议上发表一系列高水平的论
文，在国际硅材料学术界占有独特的地位，同时还开展了铸造多晶硅在太阳能电
池方面的应用研究。
硅材料国家重点实验室研究领域不断拓宽，92年创建了国内第一台超高真空
CVD外延设备，率先开辟了一个利用超高真空CVD新技术低温生长优质半导体薄膜
材料的研究领域。在利用超高真空 CVD低温外延技术生长优质薄硅外延片和新颖
锗硅合金材料方面取得很大进展。在宽禁带GaN、ZnO单晶薄膜异质结构生长、Zn
O的 P型掺杂关键技术解决及ZnO紫外探测器的制备等方面已取得了突破性进展，
为研发新一代半导体材料作出了重要的基础研究工作。
在90年代末,实验室开拓复合半导体光功能材料的研究，在有机半导体材料
、有机光导鼓和有机／无机复合激光材料与器件方面的研究取得很大进展。目前
实验室着重开展了有关纳米材料的研究，使学科领域进一步拓宽。
近几年来，实验室共承担了基金项目60余项，其中国家自然科学重大基
金课题 1项，863项目2项，973子项目1项，国家自然科学重点项目 2项，面上基
金课题20余项；省部级基金课题40多项，国际协作多项。同时承担国家和浙江省
火炬计划项目多项，科研经费达几千万元。在完成的国家自然科学基金项目中被
评为特优项目 l项，优秀项目 l项。
实验室拥有一系列先进的半导体材料生长和性能测试分析的大型设备与仪器
。（查看设备）在晶体生长和薄膜制备方面，我们有从美国引进的先进 CG6000大
直径硅单晶生长炉，具有创新意义的超高真空 CVD外延设备以及MOCVD，液相外延
炉，磁控溅射和热蒸发薄膜生长设备等。在半导体分析测试方面，我们的大型仪
器有 ESCALAB表面分析谱仪，X光双晶衍射仪，CF35扫描电镜，SSM—350扩展电阻
仪，傅立叶本实验室红外光谱仪，CM200型超高分辨透射电子显微镜和 HL5500半
导体材料霍尔参数测试仪。
主要研究方向及特色
实验室主要从事硅材料及半导体材料科学与应用基础研究，己形成自己的特
色，其主要研究方向如下：
(l)超大规模集成电路用大直径硅单晶晶体生长，晶体加工和缺陷工；
(2)半导体薄膜生长、物性评价及器件应用研究；
(3)复合半导体光功能材料研究；
(4)复合信息功能材料的基础研究；
(5)半导体材料性质、分析测试方法及其基础理论研究。
研究人员
包括兼职人员在内，实验室现有35人，其中中国科学院院士1人，教授、研究
员共19人(具博士学位11人)，副教授、副研共8人(具博士学位7人)，高工4人。重
点实验室学术委员会主任是阙端麟院士，主任叶志镇教授，副主任杨德仁教授。
在学科带头人阙端麟院士指导下，实验室拥有一支以中青年骨干为主，老、中、
青相结合的精干科技队伍。
实验室重视年轻人才的培养，已为国家培养半导体材料学科的博士20多人、
硕士100余人。实验室除了在学术上关心研究生外，还在生活上提供一定的帮助。
未来的发展方向
该所准备进一步拓宽学科覆盖面，以大直径硅单晶，硅基材料，复合半导体
功能材料研究为主，同时加强电子信息材料、磁性材料等一批国民经济发展迫切
需要的新型材料的研究。
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我們不是天使 我們終將飛逝 淪落在五光十色裡流浪
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