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发信人: Bulls (音乐虫子), 信区: Hardware
标 题: 怎样从芯片编号识别三星内存
发信站: BBS 荔园晨风站 (Fri Oct 15 01:58:04 1999), 转信
当你见到一条陌生的内存时，怎样知道它的容量、速
度、生产日期等重要参数呢？下文将会为您详细介绍三星
内存的识别方法。
一，FP（Fast Page）DRAM和EDO DRAM内存芯片
容量有：4Mbit、16Mbit、64Mbit
KM X XX X XX X X X X - X X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、KM表示三星内存
2、RAM的种类，4=DRAM3、内存芯片组成：1=x1（以1
的倍数为单位）、4=x4、8=x8、16=x164、电压：C=5V、V=3.3V
5、内存密度(以bit为单位)：256(254) = 256Kx、512(514) = 512Kx
、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx6、刷新，16M
设备: 0 = 4K、1 = 2K、2 = 1K；64M设备: 0 = 8K、1 = 4K
7、内存模式：0 = FP RAM、3 = FP Quad CAS、4 = EDO
、5 = EDO Quas CAS8、内存版本：空白=第1代、A=第2代
、B=第3代、C=第4代、D=第5代
9、封装类型：J = SQJ、K = SQJ(Shrink Pkg)、T = TSOP II
、S = TSOP II(Shrink Pkg)10、电源供应：空白=正常(5V)
、L=低电压(3.3V)
11、速度：4 = 40ns(纳秒)、5 = 50ns、6 = 60ns12
、BULK或TAPE/REEL：空白 = Bulk、T = Tape & Reel如
：KM416C254D指的是三星256Kbit*16=4Mb内存芯片、第5
代EDO DRAM、5V电压
二，DRAM 72线DIMM模块（整条内存条的编号）
容量有：8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MBKM X X XX X X X X X X X - X X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 131、KM表示三星内存
2、M表示DRAM DIMM模块3、类型和接口：1 = Flash RAM
、2 = Mask ROM、3 = DRAMM DIMM或SODIMM、4 = DRAM 8
字节 SODIMM、5 = SIMM、6 = SRAM、7 = 保留值、8 =
保留值、9 = VRAM
4、内存芯片组成：32/36 = x32/x36位、64/72 = x64/x72
位、66/74 = x66/x74位SPD & UB、78 = PLL & Register
、144 = X144位
5、内存模式和工作电压：C = FP 5V、V = FP 3.3V
、E = EDO 5V、F = EDO 3.3V
6、内存密度：1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M
、32 = 32M
7、刷新：0 = 4K周期、1 = 2K周期、2 = 1K周期、8 = 8K
周期
8、内存块组成：0 = x4、1 = x4 + x1、2 = x4 + x4 (Quad CAS)
、3 = x8、4 = x16、5 = x16 + x4 (Quad CAS)9、内存
版本：空白=无版本、A=第1代、B=第2代、C=第3代
10、内存封装和接口：J = 第1代SQJ金手指接口、K =
第2代SQJ金手指接口、T = TSOP金手指接口、S = TSOP II
金手指接口11、电路板版本：空白=无版本、A=第1代、B=
第2代、C=第3代
12、电源供应：空白=正常(5V)、L=低电压(3.3V)
13、速度：5 = 50ns、6 = 60ns
如：KMM364C803B指的是三星8M*64bit=64MB内存条，5V FP RAM
，刷新时间为4K周期，由8块内存芯片组成，内存版本为
第2代
三、DRAM 168线SIMM模块（整条内存条的编号）
容量有：4MB、8MB、16MB、32MB、64MB、128MBKM X X XX XXX X X X X X X XX - X
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
1、KM表示三星内存
2、M表示DRAM DIMM模块3、类型和接口：1 = Flash RAM
、2 = Mask ROM、3 = DRAMM DIMM或SODIMM、4 = DRAM 8
字节 SODIMM、5 = SIMM、6 = SRAM、7 = 保留值、8 = ASSP
、9 = VRAM
4、内存组成：8 = x8位、32/38 = x32/x36位
5、内存密度：256 = 256K、512 = 512K、1 = 1M、2 = 2M
、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M6、刷新：0 = 4K
、1 = 2K、2 = 1K
7、内存条模块和组成：0 = FP DRAM、3 = FP & Quad CAS
、4 = EDO DRAM、5 = EDO & Quad CAS、8 = FP & 非记
忆电路、9 = FP & 非记忆电
路 & Quad CAS
8、内存版本：空白=无版本、A=第1代、B=第2代、C=
第3代、D=第4代
9、封装类型：空白 = 第1代SQJ、K = 第2代SQJ
10、电路板版本：空白=无版本、A=第1代、B=第2代
、C=第3代11、内存条组成：空白 = 多于7个芯片、N =
小于8个芯片、U = 字节为单位、W = 大量芯片12、插槽
接口：空白=锡金属、G=金手指
13、速度：5 = 50ns、6 = 60ns
如：KMM53216004B指的是三星16M*32=64MB内存条，EDO DRAM
，刷新时间为4K周期，内存版本为第2代
四、SDRAM内存芯片
容量有：16Mbit、64Mbit、128Mbit、256MbitKM X XX X XX X X X X X - X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、KM表示三星内存
2、RAM的种类，4=DRAM3、内存芯片组成：4 = x4、8 = x8
、16 = x164、S=SDRAM
5、内存芯片密度：1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M
、16 = 16M6、刷新：0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K
7、内存排数：2=2排、3=4排
8、内存接口：0=LVTTL、1=SSTL9、内存版本：空白=
第1代、A=第2代、B=第3代10、封装类型：T = TSOP II (400mil)
11、电源供应：G=自动刷新、F=低电压自动刷新12、
最少CC校验 UB DIMM自带SPD、75 = x72/ECC
校验 w/PLL+Register DIMM自带SPD (JEDEC)、77 = x72/ECC PLL+Register DIMM
自带SPD (Intel)
、78 = x72/ECC PLL+Register DIMM w/PPD 200针
5、S=SDRAM
6、内存芯片密度：1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M
、16 = 16M、32 = 32M7、刷新、内存排数和接口：0 = 4K/64ms;2
排;LVTTL、1 = 2K/32ms;2排;LVTTL、2 = 4K/64ms;4排;LVTTL
、3 = 4K/64ms;2排;SSTL、4 = 4K/64ms;4排;SSTL
8、元件组成：0 = x4、3 = x8、4 = x16
9、内存版本：空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=
第4代10、封装类型：T=T 11、PCB版本：空白=第1代、1=第2代、N=新型JEDEC
、L=66MHz内存总线(PC66标准)12、电源供应：G=自动刷
新、F=低电压自动刷新
13、最少存取周期(最高频率)：7 = 7ns(143MHz)、8 = 8ns(125MHz)
、0 = 10ns(100MHz)、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS
值为3
如：KMM366S824BTL指的是三星8M*64=64MB内存条，168
针接口，第3代内存，T=TSOP II (400mil)封装，PC66标
准
六，DDR同步DRAM内存芯片
容量有：64Mbit
KM X XX X XX X X X X X - X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1，KM表示三星内存
2，RAM的种类，4=DRAM3，内存芯片组成：4=x4（以4
的倍数为单位）、8=x8、16=x16、32=x324，内存电压：H=DDR SDRAM(3.3V)
、L=DDR SDRAM(2.5V)
5，内存密度：4 = 4M(以bit为单位)、8 = 8M、16 = 16M
、32 = 32M
、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G
、2G = 2G、4G = 4G
6，刷新：0 = 64m/4K (15.6μs)、1 = 32m/2K (15.6
μs)、2 = 128m/8K (15.6μs)、3 = 64m/8K (7.8μs)、4 = 128m/16K (7.8
μs)
7，内存排数：3=4排、4=8排
8，接口电压：0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)9
，内存版本：空白=第1代、A=第2代、B=第3攀?4排（两面各两
排），接口是电压是LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型
为66针TSOP II。
七、RAMBUS DRAM内存芯片
容量有：72Mbit、128Mbit、144MbitKM X XX XX XX X XX - X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
1、KM表示三星内存
2、RAM的种类，4=DRAM3、内存芯片组成：16 = x16
位、18 = x18位4、产品：RD=Direct RAMBUS DRAM
5、内存芯片密度：4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M6、内
存版本：空白=第1代、A=第2代
7、封装类型：C = 微型BGA(正面CSP)、D =微型BGA (
逆转CSP)、W = WL-CSP8、电源供应和刷新：空白 = 正常
电压(32m = 低电压(32m/8K, 3.9μs)、R =
正常电压(32m/16K, 1.9μs)、S = 低电压(32m/16K, 1.9
μs)
9、RAC(行地址存取时间)：G = 53.3ns、K = 45ns、M = 40ns
10、速度：60 = 600Mbps、80 = 800Mbps
如：KM418RD8C指的是三星8M*18bit=144Mbit内存芯
片，2.5V电压，刷新时间16K/32ms，微型BGA封装
八、RAMBUS DRAM RIMM模块（整条内存条的编号）
容量有：32MB、64MB、96MB、128MB、192MB、256MBKM X X XX X XX X X X X - X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、KM表示三星内存
2、M表示RDRAM RIMM模块3、模块类型：R=RIMM
4、数据位和模块类型: 16/18 = x16/x18; 184针5、
产品：CNTY =连续模块、R = Direct RAMBUS DRAM6、内
存密度：空白 = 连续模块、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M
、32 = 32M、64 = 64M7、元件数量：空白 = 连续模块、1 = 1ea
、2 = 2ea、3 = 3ea、4 = 4ea、5 = 5ea、6 = 6ea、7 = 7ea
、8 = 8ea、9 = 9ea、A = 10ea、B = 11ea、C = 12ea、D = 13ea
、E = 14ea、F = 15ea、G = 16ea
8、内存版本：空白=第1代或连续模块、A=第2代、B=
第3代
9、封装类型：空白=连续模块、C = 微型BGA(CSP)、W = WL-CSP10
、电路板版本：空白=第1代、A=第2代、B=第3代
11、电源供应和刷新：空白 = 正常电压(32m/8K, 3.9
μs)、L =低电压(32m/8K, 3.9μs)、R = 正常电压(32m/16K, 1.9
μs)、S =低电压(32m/16K, 1.9μs)
12、RAC行地址存取时间和速度：G6 = 53.3ns & 600 Mbps
、K8 = 45ns & 800 Mbps、M8 = 40ns & 800 Mbps
如：KMMR16R88C指的是三星64M*16bit=128MB RAMBUS
内存条，内存封装为微型BGA
本站特约：邱晓光
1999年6月7日
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※ 修改:．bily 於 Oct 15 08:03:42 修改本文．[FROM: 192.168.28.1]
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