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发信人: taotiger (一不做二不休三不回头), 信区: Hardware
标 题: 拔云见日——两种SDRAM内存芯片的识别
发信站: BBS 荔园晨风站 (Sun Oct 17 21:06:47 1999), 转信
对于很多入门的DIY用户来说，购买内存条也许是他们最头疼的事
情，除了知道内存的容量和品牌外，对其它参数就一无所知了。既然
不懂，有的用户则根本不求了解，只要内存容量符合要求，立马掏钱
走人。其实，了解内存条的其它参数，看懂内存芯片上面的编号，对
于选购内存条很有好处，被奸商糊弄的可能也会小很多。本文以市场
上常见的两种内存条为例，谈谈如何识别内存芯片上的编号。
现代（HYUNDAI）SDRAM内存芯片的识别
一、现代SDRAM内存芯片编号识别
HY 5X X XXX XX X X X X－XX XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如
下：
1：Memory Products（内存产品的品牌）
HYUNDAI（现代）
2：PRODUCT GROUP（产品种类）
57:SDRAM
5D:DDR SDRAM
3：PROCESS＆POWER SUPPLY（工艺和电压）
BLANK:CMOS,5.0V
V:CMOS,3.3V
U:CMOS,2.5V
4：DENSITY＆REFRESH（密度和刷新）
16:16M bits, 4K Ref.
64:64M bits, 8K Ref.
65:64M bits, 4K Ref.
128:128M bits, 8K Ref.
129:128M bits, 4K Ref.
256:256M bits, 16K Ref.
257:256M bits, 8K Ref.
5：DATA WIDTH（数据带宽）
40:×4
80:×8
16:×16
32:×32
6：BANK（芯片组成）
1:2 Banks
2:4 Banks
3:8 Banks
7：INTERFACE（界面）
0:LVTTL
1:SSTL(3)
2:SSTL_2
3:Mixed Interface
8：DIE GENERATION（模型版本）
BLANK:1st Generation
A:2nd Generation
B:3rd Generation
C:4th Generation
D:5th Generation
9：POWER CONSUMPTION（功率消耗）
BLANK:Normal Power
L:Low Power
10：PACKAGE（封装）
JC:400mil SOJ
TC:400mil TSOP－Ⅱ
TD:13mm TSOP－Ⅱ
TG:16mm TSOP－Ⅱ
11：SPEED（速度）
7:7ns (143MHz)
8:8ns (125MHz)
10P:PC100 CL2＆3
10S:PC100 CL3
10:10ns (100MHz)
12:12ns (83MHz)
15:15ns (66MHz)
二、识别现代SDRAM内存芯片一例
现代SDRAM内存芯片上的编号如图1所示，现分别解释如下。
第一行：HY代表是HYUNDAI内存产品；57代表SDRAM；V代表芯片
的加工工艺是3.3V的CMOS（市场上基本所见的SDRAM芯片均是3.3V的，
2.5V十分鲜见）；65代表64Mbit的芯片密度和4K的芯片刷新；80代表
数据宽度是8位；2代表第2的芯片结构，即802，代表通常所说的2×8
的芯片结构，市场上最多见的也是这种结构的芯片，其对主板的兼容
性也是最好的；0代表LVVTL界面，其实这个参数笔者以为并不十分重
要，对内存条的制造商来说才具有实际参考意义；B代表是第3代的
SDRAM芯片设计；空白代表普通电压。
第二行：TC代表400mil TSOP－Ⅱ的的芯片封装，市场上目前常
见的就是这种封装，其余的几乎没有看见过；10S代表CL3下的100MHz
的10ns，市场上最多见的HYUNDAI的PC100芯片，10P的几乎全部是假
的，连HYUNDAI的原厂内存几乎也看不到CL2的10P精品。
第三行：9912代表产品的生产日期是1999年的第12个星期；KOREA
代表南韩出品，以区别HYUNDAI在非南韩工厂的产品。
高士达（LGS）SDRAM内存芯片的识别
一、高士达SDRAM内存芯片编号识别
GM 72 X X XX X X X X X XXX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
现代SDRAM的内存芯片上的编号如上所示，其各位编号的意义如
下：
1：PREFIX OF LGS（LGS产品的前缀）
MEMORY IC的前缀
2：FAMILY（内存种类）
72:SDRAM
3：PROCESS＆POWER SUPPLY(工艺和电压)
V:CMOS(3.3V)
4：DENSITY＆REFRESH（内存密度和刷新）
16:16M,4K Ref
17:16M,2K Ref
28:128M,4K Ref
55:256M,16K Ref
56:256M,8K Ref
57:256M,4K Ref
64:64M,16K Ref
65:64M,8K Ref
66:64M,4K Ref
5：DATA WIDTH（数据带宽）
4:×4
8:×8
16:×16
32:×32
6：BANK（芯片组成）
1:1 BANK
2:2 BANK
4:4 BANK
8:8 BANK
7：I/O INTERFACE（I/O界面）
1:LVTTL
8：REVISION NO.（修正版本）
BLANK:ORIGINAL
A:FIRST
B:SECOND
C:THIRD
D:FOURTH
E:FIFTH
F:SIXTH
9：POWER（功率）
Blank:STANDARD
L:LOW－POWER
10：PACKAGE（IC封装）
T:TSOP(NORMAL)
R:TSOP(REVERSE)
I:BLP
K:TSOL
S:STACK
11：SPEED（速度）
6:150MHz
7:143MHz
74:135MHz
75:133MHz
8:125MHz
7K:(PC100,2－2－2)＊
7J:(PC100,3－2－2)＊＊
10K:(PC66)＊＊＊
10J:(PC66)＊＊＊＊
12:83MHz
15:66MHz
Note（注释）:
＊7K means to meet tCK=10ns,C.L=2,tAC=6ns。
＊＊7J means to meet tCK=10ns,C.L=3,tAC=6ns。
＊＊＊10K means to meet tCK=15ns,C.L=2,tAC=9ns。
＊＊＊＊10J means to meet tCK=15ns,C.L=3,tAC=9.5ns。
二、识别LGS SDRAM内存芯片一例
LGS SDRAM内存芯片上的编号如图2所示，现分别解释如下。
第一行：LGS代表南韩LG公司
第二行：GM是LGS的memory IC产品的前缀；72代表SDRAM产品；V
代表芯片的加工工艺是3.3V的CMOS；66代表芯片的密度是64Mbit和4K
刷新；8代表×8的结构；4代表4bank的芯片组成；1代表LTVVL的I/O
界面；C代表是第三代的芯片设计；空白代表标准的芯片功耗；T代表
普通的TSOP的IC封装；7J代表在100MHz外频下可运行在10ns，CL值是3
。
第三行：9839代表芯片的生产封装日期是1998年第39个星期；
KOREA代表是南韩出品，以便同非南韩的LG工厂生产的芯片相区别。
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十 步 杀 一 人
千 里 不 留 行
※ 修改:．bily 於 Oct 17 23:07:32 修改本文．[FROM: 192.168.28.1]
※ 来源:．BBS 荔园晨风站 bbs.szu.edu.cn．[FROM: 192.168.29.146]
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