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发信人: WhatCanIDo (]Never Springs Day[), 信区: Hardware
标 题: AMD多种尖端概念浮出水面
发信站: 荔园晨风BBS站 (Tue Jun 17 21:40:32 2003), 站内信件
据赛迪网报道，AMD公司正在研究如何将一批尖端概念融合在一起，用于强化将于今后几
年上市芯片的性能。这些技术包括应变硅晶（strained silicon）、多门晶体管、在关键
性晶体管组件中用金属代替硅等。
AMD公司负责处理器技术的副总裁Craig Sander表示，改善微处理器基础结构的竞赛关系
到公司的生存。芯片的体积正变得越来越小，速度则越来越快。
Sander表示，比如，作为晶体管重要组件的门氧化物(gate oxide)在当前生产的芯片上只
有五六个原子层的厚度。没有创造性的变革，进一步变薄将会造成漏电，导致电池的寿命
降低，耗电量过高，潜在导致计算机内部出现过热的危险。
现在，由研究人员提出的新概念将可能开始在商业芯片中出现，2007年将会有45纳米的工
艺，2009年将会有32纳米的芯片。
AMD公司于本周在日本京都举行的超大规模集成(VLSI)技术座谈会上发表了两篇有关研究
成果论文。VLSI技术座谈会是有关半导体技术方面的主要年度科学会议之一
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|“嘿，如果你认为从后面来是错的，我只有告诉你，如果你愿意戴上我给你准备|
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| 的面具，我想我会做的自在点......” |
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这或许会给你带来遐想，分支会有许多许多，但是我只想告诉你:人是会变丑的......
※ 来源:·荔园晨风BBS站 bbs.szu.edu.cn·[FROM: 192.168.79.48]
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