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发信人: winsome (衣不如新，人不如故), 信区: Hardware
标 题: 理性VS激情：DDR内存的众极优化
发信站: 荔园晨风BBS站 (Tue Mar 30 18:28:46 2004), 站内信件
http://hard.zol.com.cn/2004/0330/90618.shtml
太多图了，贴不上来，只贴最后的总结咯，其他的从上面的地址看吧
《电脑高手》里的文章的确不错，不过可惜好象SZU的书亭没这书卖
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从以上的分析中，我们能发现一些 tRAS 对背靠背操作的一些影响（似乎对读取的
影响比对写入的影响大一点，对于上文的 PCMark04 的详细测试数据，也可以发现
这一点），但当 tRCD 越长，留给读 / 写命令至预充电命令之间的时间越短时，
短 tRAS 相对于长 tRAS 的这方面差距才会慢慢变小。但是，我们不能抹杀短
tRAS 在降低 PMR 方面的贡献，尤其是当可供管理的页面较少时，短 tRAS 的优势
就会比较明显。如果 tRAS 较长，页面关得慢，且总页面数量又少，很可能会出现
芯片组周转不开从而增加 PMR 的情况。但当芯片组可控制的页面增多后，长 tRAS
在背靠背操作方面的优势就会逐渐显现，因为通过芯片组的调度，寻址冲突已经
不再那么严重了。
不过，有人可能会发现 BIOS 中往往不会提供相关的设置选项，或者提供的选
项不够用怎么办（比如 875 支持 Tras=10，但 P4C800 和 P4P800 都只能到 8）
，这可怎么办呢？其实，除了 BIOS 可以调节内存的时序参数，有些软件也可以，
如著名的 WPCREDIT，就可以更改某些芯片组的内存控制器的寄存器，但是，目前
大众能了解的寄存设置情况只有 Intel 的芯片。所以，在此我也不打算详细介绍
软件修改的方法，更何况 875/865 要想调出相关的设备寄存器还需要先改动其他
的寄存器，比较麻烦，而且许多 875/865 主板是不可改的。至于其他的芯片组，
大家可以通过在 BIOS 改变一些选项，然后用 CPU-Z 之类的软件导出寄存器，通
过对比能发现一些不同，然后试着用 WPCREDIT 进行修改，但这么做会非常繁琐，
并且在不知道寄存器的位数类型 （8、16 还 32bit）时，抱着“瞎猫碰死耗子”
的心态去尝试会比较危险。所以，在此我只讲讲大概的方法，并不会提倡这种人工
修改寄存器的方式。
至此，我们可以总结出以下几点内存优化的原则和相关的技巧，供大家参考：
1、对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数
，而忽略了内存子系统的其他要素
2、目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 P-Bank
的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 P-Bank 还是双 P-Bank
呢？就目前市场上的产品而言 ，256MB 的模组基本都是单 P-Bank 的，双面但每
面只有 4 颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都是双
P-Bank的
3、页面数量的计算公式为： P-Bank 数量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的双
通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256MB 内存，就是 2X4=8 个页面，用在
875 上组成双通道就成了 4 个页面
4、CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好
，调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP
5、当内存页面数为 4 时 ，tRAS 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另
外，短 tRAS 的内存性能相对于长 tRAS 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的
提高也相对敏感
6、当内存页面数大于或等于 8 时，tRAS 设置长一些会更好
7、对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好
8、对于非双通道 Pentium4 与 AMD 64 平台，tRAS 长短之间的性能差异要缩小
9、Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台下 ，BL=4 大多数情况下是更好的选择，其
他情况下 BL=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整
10、适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性
小提示：BIOS中内存相关参数的设置要领
Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或
Enable/Disable）
可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing
Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会
自动出现详细的时序参数列表。
Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）
这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，
为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中
的L-Bank信息来自动设置的）。
Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是
Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定
。
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。不
用多说，能调多短就调多短。
Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）
这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate
等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号
进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在
P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时
钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负
载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出
现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个
参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关
系。
RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。通过
上文的讲述，大家现在应该明白它也是越小越
RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。数值
越小越好。
Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……
5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、
Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据
实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。
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※ 来源:·荔园晨风BBS站 bbs.szu.edu.cn·[FROM: 192.168.32.168]
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