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发信人: brighty (燕影随行), 信区: Hardware
标 题: 内存参数详解
发信站: 荔园晨风BBS站 (Wed Dec 27 10:21:49 2006), 站内
【 以下文字转载自 Test 讨论区 】
发信人: endlessdeep (夫), 信区: Test
标 题: 内存参数详解
发信站: 荔园晨风BBS站 (Wed Dec 27 10:15:04 2006), 站内
如今很多玩家都想方设法的发掘电脑的性能,内存带宽对整个系统起到至关重要的作用,它
关系到系统总线速度。大家在设置过程中可能会遇到一些感到迷惑的现象,有时一个较低的
总线速度配以高参数的内存,其性能也许比一味追求高总线速度还要好。选购内存时,玩家
也都知道,同频率下时序参数越高的内存其系统带宽也会随之增长,也就是要尽量选用
CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。举个例子,如果系统总线速度为400MHz,你需要搭配
使用PC3200规格的DDR内存,理想的CAS值是2。如果要把系统总线超频到500MHz,同步的情
况下则需要PC4000的内存。当大家选购高频率的内存时,应该会发现其CAS延迟通常都比较
高,2.5或者3是比较常见的。然而CAS是最敏感的内存参数,CAS值从3降低到2,虽然只有
1/3,但另一方面,如果这种情况发生在一个总线速度为500MHz的系统上,你的系统性能会
提升25%之多!
内存控制器:
内存控制器是电脑上最重要的组成部件之一。它的功能是监督控制数据从内存载入/载
出。如果需要,还可以对数据的完整性进行检测。
芯片组决定了支持的处理器类型,通常包含几组控制器,分别控制着处理器和其他组件
的数据交换。内存控制器是芯片组很常见的一部分,它建立了从内存到微处理器的数据流。
如果是支持双通道模式的芯片组,就会包含两组内存控制器。与众不同的是,近期问世的
AMD Athlon64处理器内部集成了内存控制器。
内存参数规格:
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式,分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的
值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数,也就是tRAS和CMD(Command缩写),是其中较复杂
的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误,因为部分内存厂商直接用它们来
代表内存性能。
CMD Rate祥解:
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻
址的行激活命令,单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号
进行)。如果系统指使用一条单面内存,那就不存在片选的问题了,因为此时只有一个物理
Bank。
用更通俗的说法,CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟,它并不全由内存决定,是由芯
片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计,高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大
,其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大,即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感,因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样
就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T,而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告,因为所有的无缓冲(
unbuffered)内存都应具有1T的CMD Rate,最多支持四个Bank每条内存通道,当然也不排除
芯片组的局限性。
tRAS:
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay,行有效至行预充电时间。是指
从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。这个参
数看上去似乎很重要,其实不然。内存访问是一个动态的过程,有时内存非常繁忙,但也有
相对空闲的时候,虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一
个新的程序),但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟,tRCD,以及tRP,这些参数又是如何影响系统
性能的呢?
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控
制着从收到命令到执行命令的间隔时间,通常为2,2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩
阵中,因为CAS按列地址管理物理地址,因此在稳定的基础上,这个非常重要的参数值越低
越好。过程是这样的,在内存阵列中分为行和列,当命令请求到达内存后,首先被触发的是
tRAS (Active to Precharge Delay),数据被请求后需预先充电,一旦tRAS被激活后,RAS
才开始在一半的物理地址中寻址,行被选定后,tRCD初始化,最后才通过CAS找到精确的地
址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。
因为CAS是寻址的最后一个步骤,所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),对应于CAS,RAS是指Row
Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被
激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。然而,这个参数对系统性能的
影响并不大,因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一
行中寻址,这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ,行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新
开始的间隔时间。简单而言,在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后,需要结束
当前的状态然后重新开始新的循环,再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你
从事的任务需要大量的数据变化,例如视频渲染,此时一个程序就需要使用很多的行来存储
,tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快
总结:
或许你看完以上论述后还是有一些不解,其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的
非常透彻,这个并不影响你选择什么规格的内存,以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内
存参数。最基本的,你应该知道,系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存,然后CAS延迟越低
越好。
因为不同频率的内存的价格相差并不是很大,除了那些发烧级产品。从长远的目光来考
虑,我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内
存费用,高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存,标明的
CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz,通常情况下CAS延迟可以达到2。
一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器
超频时,都会要求较高的总线速度,此时的瓶颈就在内存系统上,一般只有靠牺牲高参数来
保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽,在处理大量数据时就能明
显的从中获益,例如数据库操作,Photoshop等。
另外一点值得注意的是,PC3200或PC3500规格的内存,如果CAS延迟可以设为2,也能在
一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用
户经常使用的程序并不需要大的带宽,低CAS延迟也会带来显著的性能提升,例如一些小型
游戏和3D应用程序。
总而言之,一条参数为2-2-2-5的内存绝对比3-4-4-8的内存优秀很多,总线速度越高,
这种情况就越明显。
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活着,但是不爽
※ 来源:·荔园晨风BBS站 bbs.szu.edu.cn·[FROM: 61.141.71.9]
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