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发信人: brighty (燕影随行), 信区: Hardware
标 题: 内存参数详解
发信站: 荔园晨风BBS站 (Wed Dec 27 10:21:49 2006), 站内
【 以下文字转载自 Test 讨论区 】
发信人: endlessdeep (夫), 信区: Test
标 题: 内存参数详解
发信站: 荔园晨风BBS站 (Wed Dec 27 10:15:04 2006), 站内
如今很多玩家都想方设法的发掘电脑的性能，内存带宽对整个系统起到至关重要的作用，它
关系到系统总线速度。大家在设置过程中可能会遇到一些感到迷惑的现象，有时一个较低的
总线速度配以高参数的内存，其性能也许比一味追求高总线速度还要好。选购内存时，玩家
也都知道，同频率下时序参数越高的内存其系统带宽也会随之增长，也就是要尽量选用
CAS/tRCD/tRPD/tRAS参数值低的内存。举个例子，如果系统总线速度为400MHz，你需要搭配
使用PC3200规格的DDR内存，理想的CAS值是2。如果要把系统总线超频到500MHz，同步的情
况下则需要PC4000的内存。当大家选购高频率的内存时，应该会发现其CAS延迟通常都比较
高，2.5或者3是比较常见的。然而CAS是最敏感的内存参数，CAS值从3降低到2，虽然只有
1/3，但另一方面，如果这种情况发生在一个总线速度为500MHz的系统上，你的系统性能会
提升25％之多！
内存控制器：
内存控制器是电脑上最重要的组成部件之一。它的功能是监督控制数据从内存载入/载
出。如果需要，还可以对数据的完整性进行检测。
芯片组决定了支持的处理器类型，通常包含几组控制器，分别控制着处理器和其他组件
的数据交换。内存控制器是芯片组很常见的一部分，它建立了从内存到微处理器的数据流。
如果是支持双通道模式的芯片组，就会包含两组内存控制器。与众不同的是，近期问世的
AMD Athlon64处理器内部集成了内存控制器。
内存参数规格：
内存的时序参数一般简写为2/2/2/6-11/1T的格式，分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的
值。 2/2/2/6-11/1T中最后两个时序参数，也就是tRAS和CMD(Command缩写)，是其中较复杂
的时序参数。目前市场上对这两个参数的认识有一些错误，因为部分内存厂商直接用它们来
代表内存性能。
CMD Rate祥解：
Command Rate译为"首命令延迟",这个参数的含义是片选后多少时间可以发出具体的寻
址的行激活命令，单位是时钟周期。片选是指对行物理Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号
进行）。如果系统指使用一条单面内存，那就不存在片选的问题了，因为此时只有一个物理
Bank。
用更通俗的说法，CMD Rate是一种芯片组意义上的延迟，它并不全由内存决定，是由芯
片组把虚拟地址解释为物理地址。不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大
，其CMD延迟肯定比只有单条内存的系统大，即使是双面单条。
Intel对CMD这个问题就非常敏感，因此部分芯片组的内存通道被限制到四个Bank。这样
就可以比较放心地把CMD Rate限定在1T，而不理用户最多能安装多少容量的内存。
宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告，因为所有的无缓冲（
unbuffered）内存都应具有1T的CMD Rate，最多支持四个Bank每条内存通道，当然也不排除
芯片组的局限性。
tRAS：
tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay，行有效至行预充电时间。是指
从收到一个请求后到初始化RAS（行地址选通脉冲）真正开始接受数据的间隔时间。这个参
数看上去似乎很重要，其实不然。内存访问是一个动态的过程，有时内存非常繁忙，但也有
相对空闲的时候，虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一
个新的程序)，但发生的不多。
接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟，tRCD,以及tRP，这些参数又是如何影响系统
性能的呢？
CAS:
CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控
制着从收到命令到执行命令的间隔时间，通常为2，2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩
阵中，因为CAS按列地址管理物理地址，因此在稳定的基础上，这个非常重要的参数值越低
越好。过程是这样的，在内存阵列中分为行和列，当命令请求到达内存后，首先被触发的是
tRAS (Active to Precharge Delay)，数据被请求后需预先充电，一旦tRAS被激活后，RAS
才开始在一半的物理地址中寻址，行被选定后，tRCD初始化，最后才通过CAS找到精确的地
址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。
因为CAS是寻址的最后一个步骤，所以在内存参数中它是最重要的。
tRCD:
根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟)，对应于CAS,RAS是指Row
Address Strobe，行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被
激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的，存在着延迟。然而，这个参数对系统性能的
影响并不大，因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一
行中寻址，这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。
tRP:
tRP指RAS Precharge Time ，行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新
开始的间隔时间。简单而言，在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后，需要结束
当前的状态然后重新开始新的循环，再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你
从事的任务需要大量的数据变化，例如视频渲染，此时一个程序就需要使用很多的行来存储
，tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快
总结：
或许你看完以上论述后还是有一些不解，其实大家也没必要对整个内存寻址机制了解的
非常透彻，这个并不影响你选择什么规格的内存，以及如何最大程度上在BIOS中优化你的内
存参数。最基本的，你应该知道，系统至少需要搭配满足CPU带宽的内存，然后CAS延迟越低
越好。
因为不同频率的内存的价格相差并不是很大，除了那些发烧级产品。从长远的目光来考
虑，我们建议大家尽量购买高频率的内存产品。这样或许你将来升级CPU时可以节省一笔内
存费用，高频率的内存都是向下兼容的。例如如果购买了PC3200 400MHz的内存，标明的
CAS延迟是2.5。如果你实际使用时把频率降到333MHz，通常情况下CAS延迟可以达到2。
一般而言,想要保持内存在一个高参数,如果不行可以采取降低频率的方法。但对处理器
超频时，都会要求较高的总线速度，此时的瓶颈就在内存系统上，一般只有靠牺牲高参数来
保持内存频率和CPU的外频同步。这样可以得到更大的内存带宽，在处理大量数据时就能明
显的从中获益，例如数据库操作，Photoshop等。
另外一点值得注意的是，PC3200或PC3500规格的内存，如果CAS延迟可以设为2，也能在
一定程度上弥补内存带宽。因为此时CPU和内存交换数据时间隔的时间大大减少了。如果用
户经常使用的程序并不需要大的带宽，低CAS延迟也会带来显著的性能提升，例如一些小型
游戏和3D应用程序。
总而言之，一条参数为2-2-2-5的内存绝对比3-4-4-8的内存优秀很多，总线速度越高，
这种情况就越明显。
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活着，但是不爽
※ 来源:·荔园晨风BBS站 bbs.szu.edu.cn·[FROM: 61.141.71.9]
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