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发信人: MarchRain (为了爱,梦一生~), 信区: Hardware
标 题: 看芯片识内存(2)
发信站: BBS 荔园晨风站 (Sat Sep 2 02:42:54 2000), 转信
二.韩国产系列:
韩国现在的SEC三星和HY(现代,它还将LGS给兼并了)占据了世界内存产量的
多半份额,韩国产晶圆的特点是质量比较稳定,价格也较合理。
1.SEC[Samsung Electronics]三星。
三星的SDRAM芯片的标识为以下格式:
KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX
KM代表是三星的产品。
三星的SDRAM产品KM后均为4,后面的"S"代表普通的SDRAM,如为"H",则为DDR
SDRAM。
"S"前两个XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
三星的容量需要自己计算一下。方法是用"S"后的X乘S前的数字,得到的结果
即为容量。
"0"后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank,3为难个Bank。
"0"后的第2个X,代表interface,1为SSTL,0为LVTTL。
"0"后的第3个X与版本有关,如B、C等,但每个字母下又有各个版本,在表面
上并不能看得出来。
"T"为TSOP封装。
速度前的"G"和"F"的区别在自刷新时的电流,"F"需要的电流较"G"小,相当于
一般的低功耗版。
"G/F"后的X代表速度:
7:7ns[143MHz]
8:8ns[125MHz]
H:10ns[PC100 CL2或3]
L:10ns[PC100 CL3]
10:10ns[100MHz]
例如:KM416S4031BT-GH,是64Mbit[16*4],16,4个Bank,在100MHZ时
CL=2。
三星公布的标准PC133芯片:
Unbuffered型:KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA
Registered型:KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA
2.HYUNDAI现代
现在国内常见的有HY57V65XXXXATC 10和HY57V651XXXXXATC10。现代的HY PC 100
SDRAM的编号应是ATC 10或BTC,没有A的或B的,就不是PC 100内存。经测试,发现
HY编号为ATC10的SDRAM上133MHz时相当困难。而编号ATC8的上133MHz也不行,但可
超到124MHz。编号BTC的SDRAM上133MHz很稳定。66841XT75为PC133的,66841ET7K
为PC100的。
现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX
HY代表是现代的产品。
5X表示芯片类型,57为一般的SDRAM,5D为DDR SDRAM。
第2个X代表工作电压,空白为5V,"V"为3.3V, "U"为2.5V。
第3-5个X代表容量和刷新速度,分别如下:
16:16Mbits,4K Ref。
64:64Mbits,8K Ref。
65:64Mbits,4K Ref。
128:128Mbits,8K Ref。
129:128Mbits,4K Ref。
256:256Mbits,16K Ref。
257:256Mbits,8K Ref。
第6、7个X代表芯片输出的数据位宽,40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和
32位。
第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成,1、2、3分别代表2个、4个和8个
Bank。是2的幂次关系。
第9个X一般为0,代表LVTTL[Low Voltage TTL]接口。
第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新。
第11个X如为"L"则代表低功耗的芯片,如为空白则为普通芯片。
第12、13个X代表封装形式,分别如下:
JC:400mil SOJ
TC:400mil TSOP-II
TD:13mm TSOP-II
TG:16mm TSOP-II
最后几位为速度:
7:7ns[143MHz]
8:8ns[125MHz]
10p:10ns[PC-100 CL2或3]
10s:10ns[PC-100 CL3]
10:10ns[100MHz]
12:12ns[83MHz]
15:5ns[66MHz]
例如:常见的HY57V658010CTC-10s,HY是现代的芯片,57说明是SDRAM,65是
64Mhbit和4K refresh cycles/64ms,下来的8是8位输出,10是2个Bank,C是第4
个版本的内核,TC是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。需要指出的是
-10K不是PC100的产品,-7J和-7K也不是PC133的产品。-8的性能要好于-7K和-7J。
3.LGS[LG Semicon]
LGs早已被HY现代纳入麾下,但还是有必要单独介绍下它。LG现有的内存条编
号后缀为7J、7K、10K、8。其中10K是非PC100规格的,速度极慢。7J和7K才是PC
100的SDRAM,7J和7K工作模式的速度参数不同,LGs 7J编号在1073222,LGs 7K编
号是1072222,两者的主要区别是第三个反应速度的参数上。而8才是真正的8ns PC
100内存,但国内没有出现。现在市面上还有很多10K的LGs内存,速度比7J和7K差
很远,但因外型相差不大,所以不少奸商把10K冒充7J或7K的来卖。而7J和7K经过
测试比较,7K比7J的更优秀,上133MHz时7K比7J更稳定,但7K的市面上不多见。
LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
GM72V XX XX X 1 X X T XX
GM代表为LGS的产品。
72代表SDRAM。
第1、2个X代表容量,类似现代,16为16Mbits,66为64Mbits。
第3、4个X表示数据位宽,一般为4、8、16等,不补0。
第5个X代表Bank,2对应2个Bank,4对应4个Bank,和现代的不一样,属于直接
对应。
第6个X表示是第几人版本的内核,现在至少已经排到"E"了。
第7个X如果是字母"L",就是低功耗,空白则为普通。
"T"为常见的TSOPⅡ封装,现在还有一种BLP封装出现,为"I"。
最后的XX自然是代表速度:
7.5:7.5ns[133MHz]
8:8ns[125MHz]
7K:10ns[PC-100 CL2或3]
7J:10ns[100MHz]
10K:10ns[100MHz]
12:12ns[83MHz]
15:15ns[66MHz]
例如:GM72V661641CT7K,这是64Mbit,16位输出,4个Bank,刚达到PC-100的
要求(CL=3)SDRAM。
三.欧美生产系列及其它:
在欧美内存厂商中Micron,IBM,SIEMENS西门子等都较有名气。另外中国台湾
省的厂家这几年来进步也很神速,如茂矽、台晶、华邦、台积电和联华等厂家在生
产规模和技术上已经赶韩超美了,国产的晶圆的质量不错,价格也很便宜。
1.Micron。
Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式:
MT48 XX XX M XX AX TG-XX X
MT代表是Micron的产品。
48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。
Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘,
得到的结果即为容量。
M后的XX表示数据位宽,4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。
AX代表Write Recovery[Twr],如A2表示Twr=2clk。
TG为TSOPII封装。LG为TGFP封装。
最后的XX是代表速度:
7:7ns[143MHz]
75:7.5ns[133MHz]
8X:8ns[125MHz]
其中X为A~E,字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法A~E分别为:
3-3-3、3-2-3、3-2-2、2-2-2、2-2-2。
10:10ns[100MHz CL3]
速度后如有L则为低耗。
2.IBM。
PC电脑的开山鼻祖实力当然不俗。IBM的PC100内存有XXXXXXXCT3B260。
IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式:
IBM03 XX XX X XT3X ---XXX
IBM代表为IBM的产品。
IBM的SDRAM产品均为03。
第1、2个X代表容量。
第3、4个X表示数据位宽,为40、80、16等。
一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号,如第4个X不为0而为B,则为
TSOJ封装。
第5个X意义不详,16Mbit上多为9,64Mbit上多为4。
第6个X为P为低功耗,C为普通。
第7个X表示内核的版本。
最后的XXX代表速度:
68:6.8ns[147MHz]
75A: 7.5NS[133MHz]
260或222:10ns[PC100 CL2或3]
360或322:10ns[PC100 CL3]在B版的64Mbit芯片中,260和360在CL=3时的标
定速度为:135MHZ。
10:10NS[100MHz]
例如:IBM0316809CT3D-10,16Mbit,8位,不符合PC-100规范。
3.SIEMENS[西门子]
芯片标识:HYB39S xx xx0 x T x -xx
前两个xx为容量,最后两位xx是速度:
6—166MHz
7—143MHz
7.5—133MHz
8—125MHz
8B—100MHz[CL3]
10—100MHz[PC66规格]
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