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发信人: globe (T.K.), 信区: Hardware
标 题: “DRAM杀手”PLEDM将在五年内投产
发信站: BBS 荔园晨风站 (Sat Sep 18 01:19:25 1999), 转信
【ChinaByte综合消息】剑桥大学和日立公司的科研人员日前宣布说，
他们共同开发的新一代“DRAM杀手”将于五年内投入生产。
这种被称为PLEDM的产品全称为相位级低电子空穴数驱动内存，它将对
电子产品的未来发展产生重大影响。PLEDM可以快速读取并记录大量数据，
一整部电影可以被存储在单个芯片上，同时它的耗电量很小，可用在移动
产品上。
传统的DRAM产品具有先天的局限性，为了克服干扰提供足够强的信号，
需要一定的体积才能保证，而现在人们越来越需要更为轻小的部件。PLEDM
的设计者们已经考虑到了这一点，他们设计出一种全新的单元结构。传统的
DRAM由一个晶体管单元和一个电容单元组成，而PLEDM单元采用两个晶体管，
这样可以在更小的空间里容纳更多的“增益单元”。
研究人员认为PLEDM的发展前景广阔，也许未来这种高速高存储能力的
PLEDM产品有可能代替现有的硬盘驱动器。
□摘自新浪网
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※ 来源:．BBS 荔园晨风站 bbs.szu.edu.cn．[FROM: 192.168.0.99]
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